台积电公布16纳米与10纳米制程计划

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  • 转自eettaiwan的消息,晶圆代工大厂台积电(TSMC)近日宣布将推出精简型、低功耗版本的16纳米FinFET制程,并公布其更先进纳米制程技术蓝图;台积电预定自今年中开始量产最新的16纳米FinFET Plus (16FF+)制程,并在2016年展开 10纳米制程生产。


     

    在20纳米芯片正式量产之后,台积电宣布于2015年中开始量产 16FF+ 制程,该公司并表示采用此新制程的芯片性能可提升10%,功耗能比20纳米芯片低50%,周期时间(cycle time)则是20纳米芯片的两倍。台积电共同执行长刘德音(Mark Liu)并在于美国矽谷举行的年度技术大会上表示,该公司新制程到今年底将有超过50款芯片投片(tape-out),包括应用处理器、绘图处理器(GPU)以及汽车、网路处理器。


     

    “我们正处于一个关键时期──今日我们不只要推动各自公司的成长,还要推动对以往不存在之新公司的搜寻;”刘德音表示:“我们的消费性产品周期改变不多,改变的是产品设计与技术开发的节奏,在相同的时间框架之下,有越来越多工作必须要完成。”
     


     

    刘德音指出,台积电已经与ARM合作进行Cortex-A72处理器核心的开发,利用 16FF+ 制程让其性能达到Cortex-A15的3.5倍,而功耗则减少了75%;他并指出,台积电与ARM将继续在下一个制程节点进行合作。


     

    台积电也开发了精简型(compact)版本的16纳米FinFET制程,命名为16FFC,锁定中低端智能手机、消费性电子产品与穿戴式装置使用;该制程能将功耗降低超过50%,达到0.55伏特,预计在2016下半年开始产品投片。


     

    “在16FF与16FF+方面,已经在成本上有一些明显的挑战,我们预期每闸成本也会升高;”市场研究机构International Business Strategies执行长Handel Jones表示:“我认为他们已经藉由16FFC制程承认了这一点,16FFC将会获得不少青睐,特别是因为他们能提供低功耗版本。”


     

    长时间以来台积电与三星(Samsung)一直在16/14纳米节点相互竞争──台积电的16纳米制程与其他同业的14纳米制程性能相近,而三星则是在今年度的世界移动通讯大会(MWC)期间宣布其Galaxy S6智能手机将采用14纳米芯片。台积电的主管不愿意对市场竞争多做评论,而最后谁是赢家,从芯片产量可见分晓。


     

    “三星声称他们已经开始量产(14纳米制程),但我们还没看到任何实际产品;”International Business Strategies的Jones提到了Exynos芯片:“如果三星现阶段确实开始大量生产,他们就领先了台积电。”


     

    10纳米制程节点


     

    台积电的16纳米制程技术预定今年夏天量产,该公司也公布了众所瞩目的10纳米制程计划;10纳米制程的逻辑闸密度会是16纳米制程的2.1倍,速度提升20%,功耗则降低40%。台积电展示了采用10纳米节点的256MByte容量SRAM,预计10纳米节点将在2016年底开始生产,并透露有10家以上的伙伴正进行不同阶段的设计。


     

    “我们认为10纳米将会是持久技术节点,台积电也将加速10纳米制程进度,我认为这对产业界来说是一个很不错的征兆;”Jones表示:“随着10纳米节点加速进展──他们可能最后会迈向8纳米节点──台积电将拉近与英特尔(Intel)的差距,我认为台积电运势正好。”


     

    Jone指出,台积电已经在16纳米以及10纳米技术投资115亿至120亿美元,这意味着该公司必须要有客户到位;为了强化10纳米制程的承诺,台积电将在2016年第二季进行一座新晶圆厂的10纳米制程设备装机,并将在本季在一座现有晶圆厂移入10纳米设备。


     

    英特尔将会是台积电在10纳米制程节点的主要竞争者,前者预期在接下来10~18个月量产10纳米制程;而两者之间的竞争重点或许不在于量产时程,而是英特尔的设计实力以及制造技术方面的问题。“还不清楚谁会在16/14纳米制程领先,但我认为台积电正积极尝试在10纳米节点超前;”Jone表示:“如果真是如此,台积电追上了英特尔,届时就要看台积电的10纳米与英特尔的10纳米是否相同。”